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微碧半导体(VBSEMI)STP4NM60-VB TO-220 N沟道600V8A场效应管电子元器件芯片MOS管样品批量可谈
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      • 商品名称:VBSEMISTP4NM60-VB
      • 商品编号:100101674744
      • 商品毛重:10.00g
      • 商品产地:中国大陆
      • 货号:STP4NM60-VB
      • 行业应用:消费

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        主体

        连续漏极电流Id(A,@25℃或者100℃)
        8A
        规格型号(MPN)
        STP4NM60-VB
        沟道类型
        N沟道
        栅源阈值电压Vgs(V)
        标准
        漏源电压Vdss(V)
        600V
        导通电阻Rds(Ω,@25℃、10V最大、典型值)
        800mΩ@10V
        耗散功率Pd(W)
        170W
        RoHS
        标准
        生命周期
        标准
        输入电容 Ciss(F)
        标准
        应用级别
        消费
        工作温度范围(℃)
        -55+150
        栅极电荷 Qg(C)
        标准
        封装规格
        TO-220
        ECCN
        标准

        包装清单

        一个盒子

        售后保障

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